锗单晶与晶圆制造：6N（99.9999%）以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，经切片、抛光制成锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、霍尔元件等。锗
数据匹配性：半导体领域对锗锭的纯度要求（7N~9N），而这一纯度等级的锗锭几乎全部通过区熔工艺生产（真空熔炼、电解精炼锗锭纯度仅能达到 4N~6N，无法满足半导体高端需求），因此 “半导体与电子领域 18% 的全球占比” 可直接等同于区熔锗锭在该领域的应用占比。
行业数据佐证：结合 USGS（美国地质调查局）及行业报告数据，全球锗消费中红外（36%）、光纤（34%）为前两大领域，半导体领域以 18% 位居第三，且该领域的锗原料几乎均为区熔锗锭 —— 高纯度区熔锗锭是制备锗单晶、半导体靶材、高纯锗探测器的原料，无替代工艺可满足其电子迁移率、杂质控制等核心要求。
工艺核心原理：利用杂质在锗的固 - 液两相中分配系数不同（多数杂质在液相中溶解度更高），通过移动窄熔区将杂质向尾料端偏析，纯锗在熔区前方定向结晶，经多道次提纯达到高纯度。
