锗单晶与晶圆制造：6N（99.9999%）以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，经切片、抛光制成锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、霍尔元件等。锗
半导体掺杂与靶材：高纯度锗锭加工为锗粉或锗合金靶材，用于半导体芯片的掺杂工艺（如锗硅外延层），提升芯片的导电性与稳定性；同时用于制备薄膜太阳能电池的吸收层，增强光 - 电转换效率。
锗合金制备：4N~5N 级真空熔炼锗锭用于生产锗铜、锗铝、锗镁等合金，核心作用是：
提升合金的强度、硬度与耐腐蚀性（如锗铜合金用于制造航空发动机叶片、精密机械零件）；
改善合金的切削加工性能（如锗铝合金用于汽车轻量化零部件）。
行业数据佐证：结合 USGS（美国地质调查局）及行业报告数据，全球锗消费中红外（36%）、光纤（34%）为前两大领域，半导体领域以 18% 位居第三，且该领域的锗原料几乎均为区熔锗锭 —— 高纯度区熔锗锭是制备锗单晶、半导体靶材、高纯锗探测器的原料，无替代工艺可满足其电子迁移率、杂质控制等核心要求。
