后处理
冷却与脱模：区熔结束后，以 2~5℃/min 速率分段降温，500℃以下慢速冷却，防止内应力开裂，冷却后取出锗锭。
切头切尾：切除含高浓度杂质的尾料与籽晶部分，保留中间高纯段。
检测分级：通过电阻率测试、ICP-MS 分析杂质含量，按纯度分级（如 6N、7N、8N），合格产品包装入库，不合格品返回原料重熔。
退火处理（可选）：对高纯锗锭进行 400~500℃真空退火，消除内应力，提升晶体完整性，满足半导体单晶制备需求。
移动速度过慢的影响
杂质偏析充分，但生产效率低：慢速移动时，熔区与固相锗的接触时间长，杂质在固 - 液两相的分配能充分达到平衡，偏析效果好，能有效将杂质 “推” 向尾料端，利于提升锗锭主体纯度。但过慢的速度会大幅延长单炉生产周期，增加能耗和设备占用成本，降低产能。
易产生成分不均与晶体缺陷：长时间高温会导致锗原子扩散过度，可能出现局部成分偏聚；同时，缓慢冷却易形成粗大晶粒，晶粒间的晶界增多，还可能因热应力累积产生微裂纹。
锗挥发损失增加：熔区处于高温的时间越长，锗的挥发量越大，不仅降低成品收率，挥发的锗蒸汽还可能污染炉体或重新凝结在锗锭表面，引入二次杂质。
锗锭的关键质量指标
纯度等级：核心指标，以 “N” 表示（1N=99%），区熔锗锭主流为 6N~8N，高端半导体应用需 9N 级超高纯锗锭，杂质总量≤0.1ppm。
晶体结构：区熔锗锭需为定向结晶的多晶或准单晶，晶粒尺寸均匀（通常≥5mm），无明显裂纹、缩孔、夹杂等缺陷。
电学性能：电阻率（25℃时）需符合标准，6N 锗锭电阻率通常为 47~53Ω・cm，纯度越高电阻率越稳定。
化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
外观与尺寸：银灰色金属光泽，表面无氧化斑、油污，截面呈梯形或矩形，长度通常为 300~600mm，直径 / 宽度根据应用定制。
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