市场价格：锗锭的市场价格长期维持在较高水平，不同纯度等级的锗锭价格差异显著，高纯锗锭的回收价格处于每公斤上万元区间。
移动速度过慢的影响
杂质偏析充分，但生产效率低：慢速移动时，熔区与固相锗的接触时间长，杂质在固 - 液两相的分配能充分达到平衡，偏析效果好，能有效将杂质 “推” 向尾料端，利于提升锗锭主体纯度。但过慢的速度会大幅延长单炉生产周期，增加能耗和设备占用成本，降低产能。
易产生成分不均与晶体缺陷：长时间高温会导致锗原子扩散过度，可能出现局部成分偏聚；同时，缓慢冷却易形成粗大晶粒，晶粒间的晶界增多，还可能因热应力累积产生微裂纹。
锗挥发损失增加：熔区处于高温的时间越长，锗的挥发量越大，不仅降低成品收率，挥发的锗蒸汽还可能污染炉体或重新凝结在锗锭表面，引入二次杂质。
半导体与电子领域：6N 以上区熔锗锭是制备锗单晶的核心原料，进一步加工为锗晶圆，用于制造高速晶体管、光电探测器、红外传感器等，广泛应用于航天、军工、5G 通信等高端场景。
红外光学领域：高纯度锗锭经切片、抛光后，制成红外光学镜片、窗口材料，具有优异的红外透过率（2~14μm 波段透过率≥40%），用于红外热像仪、导弹制导系统、卫星遥感设备。
光纤通信领域：锗锭加工为锗粉或 GeCl₄，作为光纤芯层的掺杂剂，可提升光纤的折射率和传输性能，是通信光纤的关键原料之一。
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。
行业现状与发展趋势
资源与产能：锗为稀缺分散元素，全球探明储量约 8600 吨，中国储量占比 41%，是全球的锗生产国（2023 年产能约 105 吨，占全球 70%），主要产区集中在云南、贵州、四川等地。
市场需求：随着红外探测、5G 通信、半导体芯片等行业的发展，高纯度区熔锗锭需求持续增长，尤其是 8N 级以上超高纯锗锭，市场缺口逐渐扩大。
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短缺压力。
