化学杂质：重点控制 O、C、Fe、Cu、Ni、Si 等杂质，其中 O 含量需≤5ppm（避免影响晶体导电性），重金属杂质≤0.1ppm。
其他应用：低纯度锗锭用于生产锗合金（如锗铜、锗铝合金），提升材料的强度和耐腐蚀性；高纯锗锭还用于核辐射探测器、半导体掺杂靶材等特种场景。
技术趋势：未来将聚焦于 “提升纯度 + 降低成本”，如开发多场耦合区熔技术（电磁 + 温度梯度）、优化熔区参数控制算法，实现 9N 级锗锭的规模化生产；同时，锗资源的回收利用（如从废旧光纤、半导体器件中回收锗）将成为重要发展方向，缓解资源短缺压力。
原料供给依赖主矿副产品：区熔锗锭原料（粗锗、还原锗粉）主要来自铅锌冶炼副产品及锗矿回收，主矿开采规模、冶炼回收率直接影响原料供应量，进而传导至区熔锗锭价格。
